A. SOAL
1. Gambarkan simbol-simbol Mosfet Chanal Na) Depletion Mode..................................................
b) Enhancement Mosfet ...............................
2. Gambarkan Karakteristik D Mosfet Chanal P.
3. Gambarkan Karakteristik E Mosfet Chanal P.
4. Jelaskan mengapa Mosfet ( Transistor efek Medan ) mempunyai Desah / Noise lebih rendah di banding transistor biasa Unipolar.
5. D Mosfet jenis N ( NMD ) dengan Type BF 900, kemasannya ditunjukkan pada kolom Package dan Pinout SOT 103 J
a) Harga batas maksimum dan minimumnya
b) Tentukan persamaanya.
6. Pada rangkaian penguat dibawah ini, tentukan!
a. Penguatan Tegangan
b. Titik kerja penguat.
Keterangan:
- Mosfet D 3N 128
- Up = ugs OFF = 8 v
- idss = 5 Ma
- gm = 5 ms ( mili siement )
- rd = Tahanan Drain Source = 200 ohm.
7. Tahanan R2 sebegai penentu .............................................................
8. Diantara transistor yang dituntut hfe (𝛃) nya sama
adalah : 𝛃 Transistor ............ = 𝛃 Transistor ..................
𝛃Transistor ............ = 𝛃 Transistor ..................
9. Yang berperan menentukan faktor penguatan tegangan output terhadap input adalah......
10. Potensio P2 berfungsi untuk ...............................................................
11. C5 berfungsi untuk .............................................................................
12. Sebutkan contoh Mosfet yang mempunyai konstruksi khusus!
13. Jelaskan penggunaan SIP Mosfet!
14. Sebutkan Keuntungan Mosfet jika dioperasikan pada daya besar!
B. JAWABAN / PENYELESAIAN
1. Simbol MOSFET Chanal N |
| a. Depletion MOSFET Chanal N - b. Depletion MOSFET Chanal P - c. Enhancement MOSFET Chanal N - d. Enhancement MOSFET Chanal P |
2. Gambar Karakteristik D Mosfet Chanal P
 |
| Kurva Krakteristik D Mosfet Chanal P |
3. Gambarkan Karakteristik E Mosfet Chanal P
 |
| Kurva Karakteristik E Mosfet Chanal P |
4. Mengapa Mosfet ( Transistor efek Medan ) mempunyai Desah / Noise lebih rendah di banding transistor biasa Unipolar?
Karena dalam susunan bahannya FET / Mosfet kanal saluran FET / Mosfet tersebut dari satu jenis bahkan semi konduktor N atau P tanpa sambungan sebagai jalannya arus drain ( ID ) menuju source . Karena tanpa sambungan maka arus elektron yang melalui kanal tidak menimbulkan getaran elektron yang kuat sehingga noise hampir tidak ada (sangat rendah).
Lain halnya transistor unipolar dimana arus kolektor ( IC ) yang menuju emitor melalui sambungan PNP atau NPN sehingga elektron yang melewati sambungan akan menimbulkan getaran elektron yang cukup kuat sehingga pada arus kolektor akan timbul noise / desah yang cukup besar.
5. Cara menentukan kakinya :
Tentukan huruf J dalam kolom kosong, penandaan kelompok susunan kaki ( lampiran B )
Perhatikan kemasan Mosfet SOT 103, jumlah kakinya 4 buah
Kita tetapkan kaki-kakinya:
- Kaki no 1 = S ( Source )
- Kaki no 2 = G1 ( Gate 1 )
- Kaki no 3 = G2 ( Gate 2 )
- Kaki no 4 = D ( Drain )
Harga Batasnya:
- UDS mak = 20 V
- ID mak = 50 MA
- TJ mak = 1500 C
- PTOT mak = 150 MWF
- UGS / VGS = 5 VMX
- IDSS / ID(on) = 3/30 MA
- RDS(on) mak = -
- CISS = 4 pO
- CRSS = Op 25
- Persamaan ( tidak ada persamaanya )
6. Menentukan penguatan dan titik kerja
7. Tahanan input ( Zi )
8. 𝛃T1 = 𝛃T2; 𝛃T3 = 𝛃T4
9. R5 dan R6
10. Sebagai pengatur arus diam pada Drain T12 dan T13.
11. penekan frekuensi tinggi / mencegah osilasi
12. Mosfet Dual Gate ( Mosfet Dua gerbang )
13. Saklar Daya Besar
14. Perubahan daya terhadap temperatur yaitu:
a. Jika kondisi fisiknya panas , arus akan turun dan temperatur turun
b. Temperatur turun daya naik lagi dan seterusnya sehingga aman.